存储芯片行业报告：投资地图（155页）

经过50年的闪存芯片发展，闪存容量增势迅猛。20世纪以前，主流的NOR Flash存储容量普遍在100MB 以下；到2004年，闪存存储容量进入GB时代，从2004年的1GB发展到2011年的128GB; 2013年3D NAND Flash技术的实践使闪存容量进一步提升，由128GB 发展到现在的1TB。NAND Flash原厂颗粒的竞争格局可以大致分为三个阶段：  在2013年Q4以前，三星、铠侠、美光、海力士和英特尔为5家最大NAND Flash原厂厂家，几乎占据了 全部NAND Flash颗粒市场。 2013年Q4到2017年Q3之间，西部数据作为另一大NAND Flash原厂厂家加入了竞争并占据显著的市场份 额，铠侠的市占率由此下降了约10%，三星下降了约5%。 2017年Q3以后，包括长江存储在内的其余厂商逐渐占据一定的市场份额，打破几乎被前6家大厂垄断 的市场格局。

目前，DRAM芯片的市场格局是由三星、SK海力士和美光统治，三大巨头市场占有率合计已超过95%，而三 星一家公司市占率就已经逼近50%。寡头垄断的格局使得中国企业对DRAM芯片议价能力很低，也使得DRAM 芯片成为我国受外部制约最严重的基础产品之一。众多半导体存储器中，市场规模最大的是DRAM和NAND Flash，市场规模均在数百亿美元，其中DRAM  2018年的市场规模已达到1000亿美元。除此之外，存储芯片市场空间较大的还有NOR Flash，其市场 规模曾一度随着功能手机的消亡而逐渐降低，但近年来随着新兴市场的崛起，NOR Flash的市场空间 也已逐渐恢复。 本报告讲主要针对以下几种类型存储器进行展开讨论。

EEPROM的全称是“电可擦除可编程只读存储器”，可以在电脑上或专用设备上擦除已有信息，重新编 程，一般用在即插即用。在一些所需存储容量不大，并且需要频繁更新的场合，EEPROM相比较于 Flash，由于其百万次的擦写次数和更快速的写入，成为更佳选择。 近年来，EEPROM除了越来越多的集成到SOC芯片中，也可搭配AMOLED、指纹、触控、摄像头、蓝牙、 无线等芯片形成模组。EEPROM以其通用性，稳定耐用的数据存储，各种小容量规格，能满足摄像头模 组、可穿戴设备等对参数存储的要求。