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存储芯片行业报告:投资地图(155页)

行业报告下载 2020-09-18 1 管理员 编辑

经过50年的闪存芯片发展,闪存容量增势迅猛。20世纪以前,主流的NOR Flash存储容量普遍在100MB 以下;到2004年,闪存存储容量进入GB时代,从2004年的1GB发展到2011年的128GB; 2013年3D NAND Flash技术的实践使闪存容量进一步提升,由128GB 发展到现在的1TB。NAND Flash原厂颗粒的竞争格局可以大致分为三个阶段:  在2013年Q4以前,三星、铠侠、美光、海力士和英特尔为5家最大NAND Flash原厂厂家,几乎占据了 全部NAND Flash颗粒市场。 2013年Q4到2017年Q3之间,西部数据作为另一大NAND Flash原厂厂家加入了竞争并占据显著的市场份 额,铠侠的市占率由此下降了约10%,三星下降了约5%。 2017年Q3以后,包括长江存储在内的其余厂商逐渐占据一定的市场份额,打破几乎被前6家大厂垄断 的市场格局。

目前,DRAM芯片的市场格局是由三星、SK海力士和美光统治,三大巨头市场占有率合计已超过95%,而三 星一家公司市占率就已经逼近50%。寡头垄断的格局使得中国企业对DRAM芯片议价能力很低,也使得DRAM 芯片成为我国受外部制约最严重的基础产品之一。众多半导体存储器中,市场规模最大的是DRAM和NAND Flash,市场规模均在数百亿美元,其中DRAM  2018年的市场规模已达到1000亿美元。除此之外,存储芯片市场空间较大的还有NOR Flash,其市场 规模曾一度随着功能手机的消亡而逐渐降低,但近年来随着新兴市场的崛起,NOR Flash的市场空间 也已逐渐恢复。 本报告讲主要针对以下几种类型存储器进行展开讨论。

EEPROM的全称是“电可擦除可编程只读存储器”,可以在电脑上或专用设备上擦除已有信息,重新编 程,一般用在即插即用。在一些所需存储容量不大,并且需要频繁更新的场合,EEPROM相比较于 Flash,由于其百万次的擦写次数和更快速的写入,成为更佳选择。 近年来,EEPROM除了越来越多的集成到SOC芯片中,也可搭配AMOLED、指纹、触控、摄像头、蓝牙、 无线等芯片形成模组。EEPROM以其通用性,稳定耐用的数据存储,各种小容量规格,能满足摄像头模 组、可穿戴设备等对参数存储的要求。

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标签: 3C电子|微纳电子|家电

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