首页 行业报告下载文章正文

半导体行业研究报告:砷化镓,碳化硅(26页)

行业报告下载 2021年03月29日 05:29 1 管理员

化合物半导体物理特性具有独特优势。半导体材料领域共经历三个发展阶 段:第一阶段是以硅、锗为代表的 IV 族半导体;第二阶段是以 GaAs 和 InP 为 代表的 III-V 族化合物半导体,其中 GaAs 技术发展成熟,主要用于通讯领域; 第三阶段主要是以 SiC、GaN 为代表的宽禁带半导体材料。硅材料技术成熟, 成本低,但是物理性质限制了其在光电子、高频高功率器件和耐高温器件上的 应用。相比硅材料,化合物半导体材料在电子迁移速率、临界击穿电场、导热 能力等特性上具有独特优势。硅材料主导,化合物半导体在射频、功率等领域需求快速增长。目前全球 95%以上的芯片和器件是以硅作为基底材料,由于硅材料极大的成本优势,未来 在各类分立器件和集成电路领域硅仍将占据主导地位。但是化合物半导体材料独 特的物理特性优势,赋予其在射频、光电子、功率器件等领域的独特性能优势。

相较于 Si 和 GaAs 的前两代半导体材料,GaN 和 SiC 同属于宽禁带半导 体材料,具有击穿电场强度高、饱和电子漂移速度高、热导率大、介电常数小 等特点,具有低损耗和高开关频率的特点,适合于制作高频、大功率和小体积 高密度集成的电子器件。GaN 的市场应用偏向微波器件领域、高频小电力领域 (小于 1000V)和激光器领域。相比硅 LDMOS(横向双扩散金属氧化物半导 体技术)和 GaAs 解决方案,GaN 器件能够提供更高的功率和带宽,并且 GaN 芯片每年在功率密度和封装方面都会取得飞跃,能比较好的适用于大规模 MIMO 技术,GaN HEMT(高电子迁移率场效晶体管)已经成为 5G 宏基站功 率放大器的重要技术。目前在宏基站上 GaN 主要采用使用 SiC 衬底(GaN on  SiC),由于 SiC 作为衬底材料和 GaN 的晶格失配率和热失配率较小,同时热 导率高,更容易生长高质量的 GaN 外延层,能满足宏基站高功率的应用。

半导体行业研究报告:砷化镓,碳化硅(26页)

文件下载
资源名称:半导体行业研究报告:砷化镓,碳化硅(26页)


标签: 3C电子|微纳电子|家电

并购家 站点地图   关于我们   意见反馈   免责声明 京ICP备12009579号-9