光刻胶行业报告：研究框架（85页）

半导体光刻胶根据对应的波长可分为紫外光刻胶（300-450nm）、深紫外光刻胶（160-280nm）、极 紫外光刻胶（EUV，13.5nm）、电子束光刻胶、离子束光刻胶、X射线光刻胶等。同时随着DUV光源被 广泛采用，化学放大（CAR）技术逐渐成为行业应用的主流。 不同曝光波长的光刻胶，其适用的光刻极限分辨率不同。通常来说，在使用工艺方法一致的情况下，波长 越短，加工分辨率越佳。 目前，主要的光刻胶由g、i、KrF、ArF四类组成。这4种光刻胶，由于需求的不同，光刻胶的各组成部分 及其比例也各不相同。半导体光刻胶随着市场对半导体产品小型化、功能多样化的要求，而不断通过缩短曝光波长提高极 限分辨率，从而达到集成电路更高密度的集积。随着IC集成度的提高，世界集成电路的制程工艺水 平已由微米级进入纳米级。 

为适应集成电路线宽不断缩小的要求，光刻胶的波长由紫外宽谱向ｇ线(436nm)→ｉ线 (365nm)→KrF(248nm)→ArF(193nm)→F2(157nm)→EUV(13.5nm)的方向转移，并通过分 辨率增强技术不断提升光刻胶的分辨率水平。 根据摩尔定律，光源波长与加工线宽呈线性关系，当采用低于248nm的深紫外光，将在单位面积 上实现更高的电子元件集成度，进而大幅提升芯片性能。2019年全球半导体市场销售额4123亿美元，同比下降12%，主要由于存储市场的周期性导致。根 据2020年6月由WSTS（全球半导体交易统计）发布的资料，2020年全球半导体销售额将达到 4260亿美元，表现不及预期。这主要归咎于新冠疫情对全球经济和供应链的负面作用。WSTS预测 ，2021年的半导体销量将反弹至4520亿美元。 据SEMI的统计数据显示，2016-2019年，全球半导体光刻胶的市场规模从15亿美元增长至2019 年的18亿美元，年复合增速达6.3%，据此预测，2020年，全球半导体光刻胶市场规模约为19亿 美元。