国内电解铝产量常年占据全球50%以上,根据测算,截止到2023年7月,我国电解铝产量占据全球59.3%。2022年全球电解铝产量6,846.1万吨,...
2023-10-16 23 新材料及矿产报告
分辨率、套刻精度和产率是光刻机的主要性能指标。核心设备是光刻机,性能指标主要包括分辨率(图形转移的微细化 程度)、套刻精度(图形转移的位置准确度)和产率(图形转移的速度),其中分辨率直接受限于投影物镜的数值孔径和 曝光光源的波长,套刻精度主要受限于对准系统的测量精度和工件台/掩模台的定位精度,产率则与光源功率、曝光场大 小、工件台步进速度等因素有关。 铜电镀产业化初期,硅片尺寸、栅线方案易变,掩膜板开发周期较长,受益图案编辑速度优势,直写光刻产业化领先有 望率先放量。精度方面,光伏应用精度要求远低于半导体,直写光刻与掩膜光刻均能满足;节拍方面,直写光刻与掩膜 光刻均有提速方式,以满足光伏生产节拍需求;长期重点关注两者降本进度。芯碁微装直写光刻设备已顺利出货。
将光源通过集光系统和匀光系统,照射在数字微镜器件(DMD)上,通过数据链路实 时产生动态图形,再通过投影曝光镜头直接投影至基片上,具备图形容易编辑、制作周期较短等优势,其中光源、DMD、 曝光镜头是影响最小线宽解析、线宽一致性、焦深等技术指标的关键因素。2023年4月,芯碁微装已将光伏电池图形化量产 机型SDI-15H(升级机型)发货至光伏龙头企业,支持HJT、XBC等多种电池工艺。苏大维格投影扫描设备已搭建完成。半导体领域的主流光刻技术,根据掩膜板与基片间距可分为接触式/接近式掩膜、投影 式掩膜,其中投影式掩膜通过投影原理,在相同尺寸掩膜板的前提下获得更小比例的图像,在最小线宽、对位精度等指标 上具备优势,适用于中高端IC前道制造、先进IC后道封装等领域。光伏铜电镀领域,目前接触式/接近式掩膜、投影式掩膜 均有应用。2023年7月,苏大维格自行研发的高速低成本投影扫描光刻设备已顺利搭建完成,正在与下游客户做相关验证 工作。
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