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功率半导体行业报告:扩容&替代并重,化合物布局长远(108页)

行业报告下载 2021年01月11日 06:15 管理员

国内产业链已构建基本配套环境,进口替代提速:我们认为,目前功率半导体国产供应商已构建基本配套环境, 设计、制造、封测到模块均相对健全。从设计环节来看,以IGBT为例,目前全球最领先的英飞凌已经更新迭代至 第七代,国内公司与英飞凌的差距大概逐渐缩短至一代以内,并且由于整个IGBT技术更新迭代速度相对缓慢基本 接近硅材料的极限,随着国内企业不断加强研发投入提升自身技术和产品水平,有望进一步缩短与海外龙头的差距; 从制造环节来看,国内目前已具备4/6/8英寸产能,并以华虹半导体/士兰微/华润微等为代表的公司预计会增加12英 寸产能,专注特色工艺;从终端产品环节来看,目前在二极管整流桥、MOSFET、IGBT及IPM模块等均已具备稳 定的供货能力,同时从设备和材料环节来看瓶颈不明显。

我们认为,国产配套能力逐步增强下预计功率器件板块进 口替代有望提速。下游客户对国产核心供应商需求强烈,替代领域延伸至工控汽车白电等高门槛领域:根据我们产业链研究,此 前国产功率器件多数应用于电源、LED照明、光伏等领域,随着中美贸易的摩擦带来产业链稳定供货的不确定性, 终端客户都在寻求本土战略合作伙伴。以白色家电板块为例,2019年是国产品牌替代的元年,目前国内例如士兰 微、华润微等在变频空调、冰箱等领域逐渐取得突破。伴随国产功率器件产品、技术能力的提升,依托与本土终端 客户的产业链合作,将替代领域不断延伸至手机配套、家电、汽车和工业等领域。此外,在化合物半导体板块, SiC系列产品预计随着新能源汽车加速渗透市场空间不断扩大,而GaN在功率器件板块更多应用于电源包括快充领 域,此外GaN还应用于射频领域,随着5G基站的大规模建设以及产业链的逐步成熟,预计到2025年GaAs市场份额 基本维持不变,GaN有望替代大部分LDMOS份额,占据射频器件市场50%左右的份额。

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