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2025-03-27 13 电子行业报告
功率半导体目前主要可以分为功率 IC和功率器件两大类。功率器件按 照外界条件控制器件的开通和关断的分类标准可分为:不可控型、半 控型和全控型功率器件。其中,二极管单向导通,可以实现整流,属 于不可控型;晶闸管只能触发导通,不能触发关断,属于半控型;晶 体管包括 IGBT 和 MOSFET 等,可以触发导通,也可以触发关断,属于 全控型器件。功率 IC 指功率类集成电路设计,属于模拟 IC 的一种,主 要分为 AC/DC、DC/DC、电源管理 IC 和驱动 IC 等。功率器件主要为二极管、三极管、晶闸管、MOSFET和 IGBT等,市 场主要被国外厂商垄断。二极管是基础性器件,主要用作整流,虽然 原理成熟,但受产品稳定性及客户认证壁垒影响,国产化率仍然较低; 三极管主要适用于消费电子等产品,用于开关或功率放大,国外厂商 仍占据市场份额的前列,国内厂商在附加值较低的部分已完成了国产 替代;晶闸管主要用于工业领域,属于电流控制型开关器件,市场整 体规模较小。
MOSFET 和IGBT 是最主要的功率器件,其中MOSFET 适 用于消费电子、网络通信、工业控制、汽车电子等,相较于前三者, 适用频率高,但一般用于功率不超过 10kw 的电力电子装置,在中低压 领域,国内厂商正逐步展开国产替代;IGBT 可用于电机节能、轨道交 通、智能电网、航空航天、家用电器、汽车电子等高压高频领域,高 压下,开关速度高,电流大,但开关速度低于 MOSFET,前五大企业 的市场份额超过 70%,国内企业与国外企业技术水平存在一定差距。功率半导体根据材料种类来划分,主要分为三类:以Si、Ge为代表的 第一代半导体,以 GaAs、InP为代表的第二代半导体以及以SiC、GaN 为代表的第三代半导体。第三代半导体材料禁带更宽,具备更好的高 频性能和高温性能。以 SiC 和 GaN 为主要形式的分立器件以及功率模 组,相比于 Si基 IGBT 和 Si 基 MOSFET 可以适用于更加高电压、高电 流的环境,并可以有效缩小所需芯片面积,减少变频器三分之二的热 损耗。 SiC与 GaN由于其性能的优越性,可以适用于更广泛的范围。SiC与 GaN 在 5G、电动汽车、光伏等各个领域均表现出更加优异的性能。其 中,特斯拉已经将电动汽车 model3 中的 IGBT 器件替换为多个 SiC MOSFET 模块,取得了更优的性能。
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