IGBT行业报告：受益电动车、光伏等需求拉动（44页）

行业报告下载 2022年01月21日 07:59 管理员

IGBT制造的三大难点：背板减薄、激光退火、离子注入。 IGBT的正面工艺和标准BCD的LDMOS区别不大，但背面工艺要求严苛（为了实现大功率化）。具体来说，背面工艺是在基于已完成正面Device和金属 Al层的基础上，将硅片通过机械减薄或特殊减薄工艺（如Taiko、Temporary Bonding 技术）进行减薄处理，然后对减薄硅片进行背面离子注入，如N型掺杂P离子、P型掺杂B离子，在此过程中还引入了激光退火技术来精确控制硅片面的能量密度。特定耐压指标的IGBT器件，芯片厚度需要减薄到 100-200μm，对于要求较高的器件，甚至需要减薄到60~80μm。当硅片厚度减到100-200μm的量级，后续的加工处理非常困难，硅片极易破碎和翘曲。IGBT模块重视散热及可靠性，封装环节附加值高。

IGBT模块在实际应用中高度重视散热性能及产品可靠性，对模块封装提出了更高要求。此外，不同下游应用对封装技术要求存在差异，其中车规级由于工作温度高同时还需考虑强振动条件，其封装要求高于工业级和消费级。设计升级方面主要是：1）采用聚对二甲苯进行封装。聚对二甲苯具有极其优良的导电性能、耐热性、耐候性和化学稳定性。2）采用低温银烧结和瞬态液相扩散焊接。在焊接工艺方面，低温银烧结技术、瞬态液相扩散焊接与传统的锡铅合金焊接相比，导热性、耐热性更好，可靠性更高。材料升级方面主要是：1）通过使用新的焊材，例如薄膜烧结、金烧结、胶水或甚至草酸银，来提升散热性能；2）通过使用陶瓷散热片来增加散热性能；3）通过使用球形键合来提升散热性能。