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2025-03-29 10 电子行业报告
硅基IGBT统治了高压高电流场景,而硅基MOSFET效率远不如IGBT,仅适用于低压场景。但硅基IGBT 存在一些缺点,比如无法承受高频工况、功耗较大等。而SiC耐高压耐高温的特性,使得其仅用结构更 简单的MOSFET器件就能覆盖硅基IGBT耐压水平,同时规避其高能耗的缺点。这意味着SiC材料能够 实现在射频器件和功率器件上对硅基材料的性能完美替代。 TOSHIBA的实验数据显示,碳化硅基MOSFET在相同环境下,对比同规格硅基IGBT能量损失减少 66%,主要来自于开关损耗的大幅减少。相同规格的碳化硅基MOSFET与硅基MOSFET相比,其尺寸 可大幅减小至原来的1/10,导通电阻可至少降低至原来的1/100。 尽管SiC存在诸多性能上的优势,但目前较高的成本依然限制着它的全面应用。考虑到SiC器件的低能 耗优势,以及量产和技术成熟带来的成本下降趋势,在新能源时代,SiC即将迎来属于它的性价比“奇 点时刻”。在新能源汽车行业,SiC可用于驱动和控制电机的逆变器、车载充电器和快速充电桩等。 在 光伏发电上,目前光伏逆变器龙头企业已采用SiC功率器件替代硅器件。新基建中,特高压输电工程对 SiC器件具有重大需求。
未来SiC器件将在各应用场景持续替代传统硅基器件。碳化硅在制程上,大部分设备与传统硅生产线相同,但由于其具有硬度高等特性,需要一些特殊的 生产设备,如高温离子注入机、碳膜溅射仪、量产型高温退火炉等,其中是否具备高温离子注入机 是衡量碳化硅生产线的一个重要标准。根据新思界产业研究中心发布的《2021-2025年碳化硅衬底行业深度市场调研及投资策略建议报告》 显示,2019年,全球碳化硅衬底材料市场规模约为1.8亿美元。由于下游行业对功率器件、射频器件的 性能要求不断提高,第三代半导体材料正在逐步取代前两代产品,需求增长极为迅速,预计到2025年, 全球碳化硅衬底材料市场规模将达到15.9亿美元左右。 Yole Development根据2018年(1.21亿美元)到2024年(11亿美元)的复合增速达44%对碳化硅 衬底市场规模进行了预测,认为2027年碳化硅衬底材料市场规模将达到约33亿美元。 全球碳化硅衬底市场格局以美国为主导,根据半导体时代产业数据中心出具的《2020年中国第三代半 导体碳化硅晶片行业分析报告》数据显示,2020上半年全球半导体SiC晶片市场份额,美国CREE出货 量占据全球45%,日本罗姆子公司SiCrystal占据20%,II-VI占13%;中国企业天科合达的市场占有率 由2019年3%上升至2020年5.3%,山东天岳占比为2.6%。
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