国内车规级IGBT产业链报告：碳化硅（91页）

行业报告下载 2022年08月01日 07:55 管理员

IGBT的驱动原理与MOS相同，由栅极电压控制。导通：当IGBT的栅极接到正电压，在氧化层下面的P区建立反型导电沟道，为电子从发射极到N- 区提供导电通路，此时IGBT导通。关断：当栅极电压为零或者反向时，MOS内的沟道消失，晶体管的基极电流被切断，此时IGBT 关断。IGBT关断有两个阶段，第一阶段是关断反型沟道，电流迅速下降，第二阶段为晶体管关断，持续时间较长，导致IGBT存在拖尾电流。元胞：元胞是IGBT芯片的关键结构，其由三部分构成，分别为正面MOS结构、体结构和背面集电极。

IGBT芯片：IGBT芯片是由几万个元胞组合而成，在制造工艺上采用大规模集成电路技术和功率半导体器件技术制造。 IGBT单管和IGBT模块：IGBT单管是将单个IGBT芯片和FRD芯片采用一个分立式晶体管的形式封装在铜框架上。IGBT模块是将多个IGBT芯片和FRD芯片通过特定的电路和桥路封装而成，具有集成度高、可靠性高、散热稳定等特点。从正面栅极结构上来看，其结构经历了从平面栅向沟槽栅以及最新的微沟槽栅的演化，目前市场主流的IGBT芯片以沟槽栅为主。栅极结构从平面向沟槽的发展有利于提高电流密度、降低导通压降、降低元胞尺并降低制造成本。从体结构上来看，其经历了从穿通型（PT，Punch Through）到非穿通型（NPT，Non-Punch Through）再到场截止型（FS，Field Stop）三代的演化。