衬底环节是金属材料在半导体器件中的关键环节,所谓衬底即是一种用于制 造半导体器件的材料基底,常见的衬底包括硅、锗、碳化硅等。在生产半导体芯 片的工艺流...
2024-03-05 33 新材料及矿产报告
实现高分子表面金属化的技术主要分为干法镀膜和湿法镀膜两种。干法镀膜又称为真 空镀膜法,应用较多的是真空蒸镀和磁控溅射。磁控溅射电镀层细密,均匀性好,但有靶 材利用率低下、微粒飞溅影响品质等问题;真空蒸镀方法简单、效率高,但是温度高导致 膜材容易热失效。湿法镀膜分为水电镀和化学镀,水电镀上镀速率高、结合力好,缺点是 废水污染问题;化学镀能耗低,镀层均匀性好、纯度高,但成本较高、效率低,也有环保 问题。复合集流体镀铜现阶段往往选择其中一种或配合使用。复合铜箔的生产方式主要有“一步法”“两步法”和“三步法”,目前“两步法”使 用最广泛。“一步法”分为一步全干法与一步全湿法。1)一步全干法:指仅利用磁控溅射 方式镀铜,效率高但对设备要求高;
一步全湿法:指仅利用化学镀的方式沉积铜膜,所 获得的复合铜箔良率高同时无“边缘效应”,但有效率低和污染问题;3)“两步法”为磁控 溅射+水电镀,首先通过磁控溅射在塑料薄膜表面镀上一层金属层,使其能够导电,其次再 通过水电镀的方式加厚金属层,技术成熟,成本较低,目前使用最广泛;4)“三步法”:针对二步法磁控溅射后不平整的问题进行改善,在磁控溅射后进行真空蒸镀最后进行水电镀, 利用蒸镀加速金属层的沉积,效率高,但是工序复杂且成本高、良率低,使用少。以重庆金美为例,主要采用“两步法”即通过真空溅射及离子置换方式生产复合复合 铜箔。复合铜箔的制作工艺包含真空溅射活化、真空溅射镀铜、碱性离子置换、酸性离子 置换、防氧化处理、分切、烘干等,以高真空磁控溅射在基膜上金属化,再以离子置换的 方式增厚金属层达到一定量的金属铜覆盖,提高复合材料对外导电性。
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