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2025-04-20 4 电子行业报告
碳化硅器件产业链主要包括衬底、外延、器件制造(设计、制造、封测)三大环节。从工艺流程上看,首先由 碳化硅粉末通过长晶形成晶碇,然后经过切片、打磨、抛光得到碳化硅衬底;衬底经过外延生长得到外延片; 外延片经过光刻、刻蚀、离子注入、沉积等步骤制造成器件。 SiC产业链70%价值量集中在衬底和外延环节。碳化硅衬底、外延成本分别占整个器件的47%、23%,合计约 70%,后道的器件设计、制造、封测环节仅占30%。这与硅基器件成本构成截然不同,硅基器件生产成本主要 集中在后道的晶圆制造约50% (碳化硅器件制造也包含晶圆制造,但成本占比相对较小),衬底成本占比仅为 7%。SiC产业链价值量倒挂的现象说明上游衬底厂商掌握着核心话语权,是国产化突破的关键。从电化学性质差异来看,碳化硅衬底可以被分为导电型和半绝缘型。半绝缘型电阻率较高(电阻率≥105Ω·cm), 不易导电,耐高压;导电型电阻率较低(电阻率区间为15~30mΩ·cm),导电能力强,根据导电类型可以进一 步分成N型(空穴导电)或者P型(电子导电)半导体。半绝缘型SiC衬底+ GaN外延,主要用于制造射频器件, 应用于5G通讯等领域; 导电型SiC衬底+ SiC外延,主要用于制造功率器件,应用于新能源汽车等领域。
大尺寸衬底有效摊薄成本,成为行业趋势。目前碳化硅衬底主流尺寸是4/6寸,其中半绝缘型碳化硅衬底以4寸 为主,导电型碳化硅衬底以6寸为主。大尺寸可以摊薄单位芯片的成本,当衬底从6寸扩大到8寸时,可切割出 的碳化硅芯片(32mm2 )数量有望从448颗增加到845颗,增加了75%。目前国际上龙头企业的碳化硅衬底正从6寸 往8寸发展,国际龙头Wolfspeed、II-VI以及国内龙头天岳先进等都已成功研发8英寸衬底产品。海外龙头起步较早,长期垄断SiC衬底市场,CR3达80%。海外龙头企业在碳化硅领域起步较早,其中 Wolfspeed和Ⅱ-Ⅵ公司在研发和产业化方面领先国内数十年,例如Wolfspeed/Ⅱ-Ⅵ的6寸半绝缘型碳化硅衬底 量产时间早于国内天岳先进15/10年。根据Yole数据,2020年海外厂商的SiC衬底CR3达78%,其中Wolfspeed 市占率45%,罗姆(收购SiCrystal )市占率20%,位居第二;国内龙头天科合达、天岳先进仅为3%、3%。 导电型衬底Wolfspeed一家独大,绝缘型衬底天岳先进入围前三。2020年全球导电型SiC衬底依旧被 Wolfspeed、II-VI、罗姆垄断,CR3高达90%,其中Wolfspeed市占率高达62%,一家独大;半绝缘型衬底中 天岳先进表现亮眼,市占率约30%,仅次于全球龙头II-VI、 Wolfspeed的35%、33%。
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