先进封装行业报告：代工、IDM厂商先进封装布局（24页）

先进封装市场马太效应明显。2021 年 ASE 市占率居首，份额为 26%。台积电和安 靠并列第二，长电科技位列第四，市占率为 10%。2021 年 CR5 为 76%，而 2016 年 CR5 为 48%，5 年间提升了 28%，份额前五名中仅长电和日月光仍位列其中。Fab/IDM 厂和 OSAT 错位竞争：Fab/IDM 厂商涉足 3D 堆叠，OSAT 主攻倒装、扇出 和晶圆级封装。Fab/IDM 厂基于前道制造优势和硅加工经验，聚焦产品性能，多 开发基于 Si-interposer 的 2.5D 或 3D 封装技术。从头部厂商的封装类型来看， 三星的 3D 堆叠产品最高，达 67%，主要系其存储产品占比较高所致。其次为台积 电，3D 堆叠占比为 46%；凭借其 InFO 在苹果产品中的渗透，台积电扇出型封装 占比也达到了 33%。OSAT 厂商则聚焦于载板技术，成本为先，产品结构中倒装仍 是主力，FCBGA 和 FCCSP 占比在 ASE 中为 38%和 29%，在安靠中为 28%和 33%，在 长电中为 28%和 31%。凸点间距（Bump Pitch）越小，封装集成度越高，难度越大。从 Bump Pitch 来 看，台积电 3D Fabric 技术平台下的 3D SoIC、InFO、CoWoS 均居于前列，其中 3D SoIC 的 bump Pitch 最小可达 6um，居于所有封装技术首位。Bump Pitch 间距 最小的 3D SoIC 和 Foveros Direct 仍在研发中，尚未量产。目前已经量产的封 装技术中，bump pitch 最小的为台积电的 InFO_LSI。台积电布局扇出技术入局先进封装，3DFabric 技术平台势头正盛。台积电于 2011 年开始布局先进封装，为了进一步发展微缩技术，以在单芯片片上系统中实现更 小且更优异的晶体管，台积电发挥异质整合的优势，开发 3DFabric 技术，将系 统中的晶体管数量提高 5 倍以上。当前 3DFabric 包含前端 SoIC 技术和后端 InFO、 CoWoS 封装技术。台积电 2022 年营收中先进封装占比 7%，营收增速高于平均； 2023年营收占比为6-7%。法说会中表示2023年资本开支的10%将用于先进封装。 2023 年 7 月，台积电投资 900 亿新台币扩充先进封装产能，预计厂房建设于 2026 年完成，2027Q2-3 开始量产，月产能合计可达 11 万片 12 英寸 3D Fabric 制程。