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2025-04-17 11 电子行业报告
从不同技术代来看,HBM3正逐步成为主流需求。Trendforce的数据显示,就不同技术代的需求比重来看,2022年主流需求为 HBM2,2023年来看,主流需求逐步转向HBM3(占比约39%),预计2024年HBM3会成为主流需求,占比将达到60%。 SK 海力士和三星几乎瓜分HBM市场,各大厂均不断提升TSV产能。从营收市占率来看,三星和SK 海力士入局较早,几乎平分 市场,镁光入局较晚因此市占率极低。就产能而言,Trendforce数据显示,2024年各家积极推近HBM产能建设,预计三星年 底产能为13万片/月,SK 海力士产能约12万片/月,镁光产能约2.5万片/月,2025年,HBM产能扩张仍在继续,三家HBM TSV 合计产能有望达到36.5万片/月,新增产能9万片/月。技术端,海外DRAM技术节点较为先进,国内厂商正在追赶。海外最早量产的HBM2e由1y和1z制程的DRAM芯片堆叠而来,制程 在18nm及以下,国内来看,由于受到美方设备进口的限制,国产DRAM芯片扩产的技术节点被限制在18nm以上,对应1y制程。 根据TechInsights,长鑫正在进行DDR5的下一代技术研发。 产能端,国内DRAM产能规模较小,生产HBM还需要扩充更多的DRAM制造产能。过去两年,传统存储周期承压的背景下,海外 大厂把部分传统DRAM产能转为TSV以应对下游的HBM需求,TSV在DRAM总产能中的占比越来越高,TrendForce数据显示,2024 年三大国际原厂的TSV产能合计约26.5万片/月,占其三者DRAM总产能(147.5万片/月)的18%,预计2026年该值将上升至23%。 国内来看,Digitims预计2024年底长鑫的产能达到20万片/月,美光表示,在同一节点生产同等容量的情况下,目前最先进 的 HBM3E 内存对晶圆量的消耗是标准 DDR5 的三倍(良率为主要原因),综合比较国内的DRAM产能和HBM的良率情况,我们 认为未来国内还需要扩充更多的前道DRAM制造产能才能满足HBM的扩产计划。
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