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2026-06-27 28 光电行业报告
COUPE 对硅光器件线宽实施均匀度监控与优化,从而保障器件整体性能。仿真与实测数据表明:硅光器件 线宽、刻蚀深度或膜厚每出现 1 纳米偏差,微环谐振器的谐振谷波长、光栅耦合器的峰值耦合波长就会偏 移 0.5~2 纳米。为保障器件整体性能,制程尺寸偏差需控制在数纳米范围内。台积电 COUPE 平台借助先进 制程设备实现 SPGC(硅基光栅耦合器)、MRR(微环谐振器)片内波长 3σ波动分别为 1.44 nm、1.32 nm。 图 9 展示了台积电 COUPE 平台制造的硅基光栅耦合器(SPGC)/ 微环谐振器(MRR)器件性能指标波动 情况:(a) 硅基光栅耦合器线宽(CD),(b) 硅基光栅耦合器沟槽深度,(c) 微环谐振器沟槽深度,(d) 硅基 光栅耦合器峰值波长,(e) 微环谐振器谐振谷波长。

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