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2026-06-30 1 电子行业报告
AI 芯片功耗提高,金刚石散热成为未来重要解决方案。随着 2.5D/3D 异构集成技 术(如 CoWoS、SOIC)的普及,芯片内部的热流密度呈指数级上升。局部热点不仅会 导致漏电流增加,更会引发电迁移和热应力,严重影响芯片寿命和算力释放。在众多导 热材料中,金刚石凭借其优异的物理特性脱颖而出: 极高的热导率:室温下,CVD 单晶金刚石的热导率可达 2200 W/(m·K),是铜(401 W/(m·K))的 5 倍以上,是硅(149 W/(m·K))的近 15 倍。 优异的绝缘性:金刚石具有极高的电阻率和击穿电压,使其能够直接贴装在裸片表 面,而无需额外的绝缘层。 低热膨胀系数(CTE):金刚石的 CTE 约为 1.1 ppm/K,与硅(2.6 ppm/K)较为接 近,能够有效降低热循环中的热应力。

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