光伏电池设备行业报告：持续增长的黄金赛道（54页）

当前时点看，Perc效率天花板在24%左右，而HIT电池的P-n结在非晶硅和晶体硅材料之间形成，导致其提效潜力高于Perc，HIT是单节 时代效率次高的技术，实验室效率26%+。 多结电池利用多种材料对于太阳光谱不同的波段吸收，可实现更高转换效率。 HIT加上钙钛矿的叠层是多节时代入门级技术，因此认为 HIT是一个承上启下的平台型技术。异质结（HIT）太阳能电池自90年代由三洋量产，但由于成本原因未成为主流。近年来，随着技术进步，HIT的转换效率、生产成本不断改善。 pHIT的结构：HIT呈对称结构，以N型单晶硅片为衬底，正面依次沉积本征非晶硅薄膜、N型非晶硅薄膜 ，背面依次沉积本征非晶硅薄膜、P型非 晶硅薄膜，掺杂非晶硅薄膜两侧分别沉积透明导电氧化物薄膜（TCO），在TCO两侧顶层形成金属电极。相较于Perc电池，HIT电池主要工艺流程仅4步，工艺流程减少的结果是生产良率提升较容易。 

HIT电池与Perc电池主要的设备差异在第二、三道工序，主要是用于非晶硅沉积的PECVD设备以及用于制备TCO的PVD/RPD设备。清洗：清洗是加工晶硅电池的预备工作。经切片、研磨、倒角、抛光等多道工序加工成的半导体薄片，其表面已吸附了各种杂质，如颗粒 、金属粒子、硅粉粉尘及有机杂质，在进行扩散前需要进行清洗，消除各类污染物， 且清洗的洁净程度直接影响着电池片的成品率和可 靠率。 工艺： （1）去除半导体薄片表面的机械损伤层；（2）对半导体薄片的表面进行/凹凸面（金字塔绒面）处理，增加光在太阳电池片表面的折射次数 ，利于太阳电池片对光的吸收，以达到电池片对太阳能价值的最大利用率 （3）清除表面硅酸钠、氧化物、油污以及金属离子杂质。 p 单晶硅制绒：利用碱对单晶硅表面的各向异性腐蚀，在硅表面形成无数的四面方锥体。目前工业化生产中通常是根据单晶硅片的各项异性 特点采用碱与醇的混合溶液对<100>晶面进行腐蚀，从而在单晶硅片表面形成类似“金字塔”状的绒面。