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光伏电池设备行业报告:持续增长的黄金赛道(54页)

行业报告下载 2021年01月11日 06:19 3 管理员

当前时点看,Perc效率天花板在24%左右,而HIT电池的P-n结在非晶硅和晶体硅材料之间形成,导致其提效潜力高于Perc,HIT是单节 时代效率次高的技术,实验室效率26%+。 多结电池利用多种材料对于太阳光谱不同的波段吸收,可实现更高转换效率。 HIT加上钙钛矿的叠层是多节时代入门级技术,因此认为 HIT是一个承上启下的平台型技术。异质结(HIT)太阳能电池自90年代由三洋量产,但由于成本原因未成为主流。近年来,随着技术进步,HIT的转换效率、生产成本不断改善。 pHIT的结构:HIT呈对称结构,以N型单晶硅片为衬底,正面依次沉积本征非晶硅薄膜、N型非晶硅薄膜 ,背面依次沉积本征非晶硅薄膜、P型非 晶硅薄膜,掺杂非晶硅薄膜两侧分别沉积透明导电氧化物薄膜(TCO),在TCO两侧顶层形成金属电极。相较于Perc电池,HIT电池主要工艺流程仅4步,工艺流程减少的结果是生产良率提升较容易。 

HIT电池与Perc电池主要的设备差异在第二、三道工序,主要是用于非晶硅沉积的PECVD设备以及用于制备TCO的PVD/RPD设备。清洗:清洗是加工晶硅电池的预备工作。经切片、研磨、倒角、抛光等多道工序加工成的半导体薄片,其表面已吸附了各种杂质,如颗粒 、金属粒子、硅粉粉尘及有机杂质,在进行扩散前需要进行清洗,消除各类污染物, 且清洗的洁净程度直接影响着电池片的成品率和可 靠率。 工艺: (1)去除半导体薄片表面的机械损伤层;(2)对半导体薄片的表面进行/凹凸面(金字塔绒面)处理,增加光在太阳电池片表面的折射次数 ,利于太阳电池片对光的吸收,以达到电池片对太阳能价值的最大利用率 (3)清除表面硅酸钠、氧化物、油污以及金属离子杂质。 p 单晶硅制绒:利用碱对单晶硅表面的各向异性腐蚀,在硅表面形成无数的四面方锥体。目前工业化生产中通常是根据单晶硅片的各项异性 特点采用碱与醇的混合溶液对<100>晶面进行腐蚀,从而在单晶硅片表面形成类似“金字塔”状的绒面。

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标签: 新能源|电力|电池|储能

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