存储芯片行业报告：NOR Flash（70页）

NOR的发展史：受英特尔于1978年发明EEPROM的启发，东芝的富士雄在1980年取得突破，申请了 simultaneously erasable EEPROM的专利，并随后取名为Flash。之后，富士雄在1984年提出NOR  Flash的发明，并在1987年发明了NAND。东芝于1987年商业化推出了NAND闪存，次年英特尔推出了第一款商用NOR闪存，彻底改变了原先由 EPROM和EEPROM一统天下的局面。从此，NOR和NAND“各具优势”并存发展。英特尔自2008年首推45nm NOR。之后，在过去12年里，NOR受到功能机市场萎缩、良品率低、成本 过高问题等一系列不利于NOR的因素，先进NOR的制程长期停滞至今。NOR的发展趋势：从制程与应用来分析，近年来大容量NOR Flash已经从65nm往50nm，小容量NOR  Flash则停留在65nm以上的制程。未来NOR受汽车电子等积极需求因素，工艺将有望恢复往日增长。近年来，先进制程大容量NOR的国产化也在加速。2020年7月，博雅科技成功量产50nm 256M NOR， 产品性能参数指标已经达到国际一线品牌水平。NOR和NAND均属于Flash。但因NOR偏重于性能和可靠性，而不具备成本优势等差异，导致NAND成为主 流的大容量数据存储器，NOR主要应用于系统启动代码和特定只读信息系的存储，属于利基型存储市场。  

近年来，国际存储大厂美光和赛普拉斯在NOR领域持续减产，导致了中国台湾的华邦电和旺宏成为了NOR市 场的龙头，中国大陆的兆易创新紧随其后，排名第三。三者合计，市场份额近70%。NOR的非易失性、超高读取速度、可片上执行、写入速度慢、和价格昂贵等独特的特性决定了它不适合做大容量 存储。自从NAND发明以来，NOR市场空间不断受到挤压，冗余需求被不断挤出。当前系统的代码存储和预设信 息存储媒介成为对NOR的刚需，NOR的存在也成为了一种必然。作为初始代码的载体，NOR被广泛应用于各个智能化领域。主板BIOS、数字机顶盒、家庭网关、路由器、loT、汽 车电子、穿戴式设备、安防监控、人工智能等领域的代码存储媒介中都有NOR。其中，智能穿戴、AMOLED屏、 手机摄像、loT设备、汽车电子、5G基站、增强现实、虚拟现实具备较大增长空间。从产品设计、制造工艺、封测及应用来看，相比消费类电子，5G基站、汽车电子和工业电子更加考验NOR Flash 的产品可靠性和综合实力。其中，5G基站和汽车电子的NOR都需要至少稳定运行在（-40°C-105°C）的环境。