闪速存储器行业报告：3D+NAND国产替代（30页）

数据存储离不开存储器，存储器分为易失性存储器和非易失性存储器。在电子产品中， 所有信息都是通过组合“0”或“1”的方式进行表达，而存储器则是存储这些电信号的 地方。通过判断存储器断电后数据是否依旧被保存来区分这两种存储器。易失去性存储 器（Volatile Memory, VM）在断电后数据随即丢失，静态随机存取存储器(SRAM）和动 态 随 机 存 取 存 储 器 (DRAM) 是 VM 中 两 种 具 备 代 表 性 的 产 品 。 非 易 失 性 存 储 器 （Non-volatile Memory, NVM）在断电后数据依然依旧保存在存储器内，闪速存储器 (Flash Memory)则是 NVM 的代表产品之一。 闪速存储器已经成为主流存储器之一。闪速存储器是一种电子式可清除程序化只读存储 器，其支持多次的擦除及写入。主要应用于一般性数据存储，在计算机及电子产品中被 广泛使用。根据市场销售规模，闪速存储器销售占比约为 45%，成为继 DRAM 外第二大储 存器产品，是主流存储器之一。

闪速存储器种类众多，NAND Flash 占据主要位置。闪速存储器虽然有众多类型，但主要 为 NOR Flash 和 NAND Flash。两者之间的区别在于存储单元连接方式不同，导致两者读 取方式不同。NOR Flash 以“字”为单位，具有芯片内执行的能力。但在块读/写上则有 不足，所以主要用于小容量代码闪存领域。而 NAND Flash 在块读/写上具备优势，所以 其主要用在大容量存储领域。根据销售额，NAND Flash 产品销售额在存储器中占比约为 42%，成为闪速存储器中占比最大的细分产品。不同存储单元性能有所差异。NAND Flash 有三种类型的储存单元，数据是以位的方式储 存在存储单元内。储存单元有单层单元（SLC）、多层单元（MLC）、三层单元（TLC） 和四比特单元（QLC），单元存储量依次上升，但单元擦/写寿命则依次下降。而存储量 上升致使寿命下降的原因是存储器工作时需要使用更多的电压值来实现更多数据的写 入，电压控制的难度将会增大，从而降低硬件使用寿命。随着 TLC 技术的成熟，叠加 3D NAND 技术加持，使得部分 TLC 产品擦写使用寿命已经与 MLC 产品相当，这将对 TLC 产品 的推广将起到重要的促进作用。而 QLC 则是在追求更低单位成本下所开发的存储单元， 但其擦/写寿命仍有待提升。

手机和 SSD 是 NAND Flash 主要消耗方。NAND Flash 作为高数据存储密度闪存器，被广 泛应用于各种数字终端设备。其中，手机和固态硬盘（SSD）是 NAND 闪存应用份额占比 最高的两个领域，分别约为 48%和 43%。所以，手机和固态硬盘的出货情况将对 NAND Flash 的需求产生较大的影响。