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湿化学品行业报告:12 英寸晶圆厂扩产推动湿化学品需求(24页)

行业报告下载 2020-08-22 1 管理员

根据 SEMI 的分类标准,应用于半导体领域的湿化学品纯度要求基本集中在 SEMI G3、 G4 水平,我国的研发水平与国际尚存在较大差距。其中分立器件对超净高纯试剂纯度 的要求要低于集成电路,基本集中在 SEMI G2 级水平,国内企业的生产技术能够满足大 部分的生产需求。面板显示和 LED 领域的等级要求为 SEMI G2、G3 水平,国内企业的生 产技术能够满足大部分的生产需求。光伏太阳能电池领域一般只需要 SEMI G1 级水平是目前国产超净高纯试剂的主要市场。

超净高纯试剂主要应用于硅晶圆的清洗和蚀刻过程。晶圆清洗试剂用于前端加工 关键工艺。由于集成电路内各元件及连线相当微细,因此制造过程中,如果遭到尘粒、 金属的污染,很容易造成晶片内电路功能的损坏,形成短路或断路等,导致集成电路的 失效以及影响几何特征的形成。因此在集成电路加工之前,必须对晶圆进行清洗,清除 残留在晶圆上之微尘、金属离子及有机物之杂质。蚀刻工艺是通过蚀刻液与特定薄膜材 料发生化学反应,从而除去光刻胶未覆盖区域的薄膜,实现图形转移,获得器件的结构。

光刻配套试剂主要应用于晶圆制造的涂胶、显影和去胶三个阶段。显影液和去胶 液的成分是针对不同的光阻材料设计而成的,此过程涉及的湿化学品包括 H2O2、Na2SO3, 以及 KOH 和 NaOH 等碱性溶液,针对不同的显影液和去胶液,其配方成分均不相同。 光刻配套试剂会直接影响晶圆光刻图形化效果。 湿化学品在后段高端封装领域的应用集中在清洗、溅射、黄光、蚀刻等工艺环节。

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标签: 化工|冶炼|油气|农药化肥|中间体

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