光伏电池设备行业报告：持续增长的黄金赛道（54页）

行业报告下载 2021年01月11日 06:19 管理员

当前时点看，Perc效率天花板在24%左右，而HIT电池的P-n结在非晶硅和晶体硅材料之间形成，导致其提效潜力高于Perc，HIT是单节时代效率次高的技术，实验室效率26%+。多结电池利用多种材料对于太阳光谱不同的波段吸收，可实现更高转换效率。 HIT加上钙钛矿的叠层是多节时代入门级技术，因此认为 HIT是一个承上启下的平台型技术。异质结（HIT）太阳能电池自90年代由三洋量产，但由于成本原因未成为主流。近年来，随着技术进步，HIT的转换效率、生产成本不断改善。 pHIT的结构：HIT呈对称结构，以N型单晶硅片为衬底，正面依次沉积本征非晶硅薄膜、N型非晶硅薄膜，背面依次沉积本征非晶硅薄膜、P型非晶硅薄膜，掺杂非晶硅薄膜两侧分别沉积透明导电氧化物薄膜（TCO），在TCO两侧顶层形成金属电极。相较于Perc电池，HIT电池主要工艺流程仅4步，工艺流程减少的结果是生产良率提升较容易。

HIT电池与Perc电池主要的设备差异在第二、三道工序，主要是用于非晶硅沉积的PECVD设备以及用于制备TCO的PVD/RPD设备。清洗：清洗是加工晶硅电池的预备工作。经切片、研磨、倒角、抛光等多道工序加工成的半导体薄片，其表面已吸附了各种杂质，如颗粒、金属粒子、硅粉粉尘及有机杂质，在进行扩散前需要进行清洗，消除各类污染物，且清洗的洁净程度直接影响着电池片的成品率和可靠率。工艺：（1）去除半导体薄片表面的机械损伤层；（2）对半导体薄片的表面进行/凹凸面（金字塔绒面）处理，增加光在太阳电池片表面的折射次数，利于太阳电池片对光的吸收，以达到电池片对太阳能价值的最大利用率（3）清除表面硅酸钠、氧化物、油污以及金属离子杂质。 p 单晶硅制绒：利用碱对单晶硅表面的各向异性腐蚀，在硅表面形成无数的四面方锥体。目前工业化生产中通常是根据单晶硅片的各项异性特点采用碱与醇的混合溶液对<100>晶面进行腐蚀，从而在单晶硅片表面形成类似“金字塔”状的绒面。