电子气体行业报告：研究框架（101页）

行业报告下载 2021年09月21日 06:55 管理员

刻蚀是采用化学和物理方法，有选择地从硅片表面去除不需要的材料的过程，目的是在涂胶的硅片上正确地复制掩膜图形。刻蚀技术主要分为干法刻蚀和湿法刻蚀，其中干法刻蚀主要利用气体与等离子体进行刻蚀。 l 等离子体刻蚀是将刻蚀气体电离产生带电离子、分子、电子及化学活性很强的原子（分子）团，此原子（分子）团扩散到被刻蚀膜层的表面，与待刻材料反应生成具有挥发性的反应物质，并被真空设备抽离排出。 l 四氟化碳是目前电子工业中用量最大的等离子刻蚀气体。对二氧化硅薄膜刻蚀，通常是采用含有氟化碳的刻蚀气体，如CF4、CHF3、C2F6、SF6和C3F8等；对Si3N4薄膜使用CF4或CF4混合气体（加O2、SF6和NF3）进行等刻蚀；对金属薄膜（例如铝薄膜）除采用氯气外，还加入卤化物，如SiCl4、BCl3、BBr3、CCl4、CHF3 等；钨刻蚀使用的气体主要是SF6、Ar及O2。 l 一般在进行刻蚀工艺过程中会使用辅助气体进行辅助反应，以此来调节离子浓度影响工艺的刻蚀速率选择比。（例如在SiO2的刻蚀中，通过加入O2和H2来调节氟离子浓度，影响刻蚀速率）。

掺杂指的是将可控的所需杂质掺入晶圆中的特定区域，来改变半导体的电学性能形成pn 结、电阻、欧姆接触等。 l 扩散和离子注入是半导体掺杂的两种主要工艺。扩散是在合适的温度和浓度梯度下，用 III、V族元素占据硅原子位置。离子注入是将具有很高能量的杂质离子射入半导体衬底中，也是目前应用最广泛的主流掺杂工艺。 l 由于掺入的杂质不同，杂质半导体可以分为 N型和P型两大类。N型半导体中掺入杂质为磷或其他五价元素，P型半导体中掺入杂质为硼或其他三价元素。常用的三价掺杂气体有B2H6、BBr3、BF3等，常用的五价掺杂气体有PH3、POCl3、AsH3、SbCl5等。在电子特气行业的上游供应方面，气体原料（例如氟化物和硅烷等）及化工原料（液氧、液氮等）是电子特气的主要生产原料，气体原来主要来源于上游空气气体企业、金属冶炼企业、化工生产企业以及粗气体产品企业。气体设备是电子特气的重要生产设备，主要包括分离、纯化、压力检测等设备。同时，由于气体产品大多为危险化学品，因此存储和运输环节也是电子特气供应链中不可或缺的一环。

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