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2025-04-20 11 电子行业报告
虽然国内 5G 智能手机改朝换代在 2021 年底将近尾声(超过 90%以上渗 透率),全球 5G 智能手机渗透率在 2021 年底已超过五成,这将造成明年高阶 智能手机品牌商在已开发国家很难卖,启动价格战或降规格可期。加上明年全 球疫情在疫苗大量施打后将逐步趋缓,我们认为在家六机(笔电,平板电脑, Chromebook, LCD/AMOLED TV, 游戏机,大尺寸手机)及大尺寸面板供应链 的需求也将明显衰退, 这两个风险将影响 2022 年电脑,高阶 5G 手机内存 DRAM,闪存 NAND,8“大尺寸驱动, 8/12“电源管理芯片,及 12” 7/5nm 先进 制程工艺在家六机 CPU, GPU, WiFi, ABF 载板 及 5G 芯片晶圆代工及封测需求。
所以我们估计 2022 年全球半导体市场增长将趋缓,尤其是手机芯片销售同比 增长将明显趋缓,电脑芯片销售甚至不排除衰退,这样多少会影响明年 DRAM 内存及 NAND 闪存的位元增长需求及短期价格走势。 但就长期全球 DRAM 内存存储器市场而言,归因于摩尔定律趋缓,新设备 如 EUV 单价提升拉高资本开支及折旧费用,加上人工智能服务器系统对于 HBM 高频宽内存需求的增加,服务器 CPU 的加速叠代更新到 5/3nm 及/20A 制 程工艺及从 8 到 12 通道内存模组的规格改变,从支援 DDR4 到速度更快的 DDR5/DDR6, L4/L5 自驾车的陆续上路,中/低容量特殊利基型 DRAM 需求 超供给,这些趋势的改变将让 DRAM 位元密度需求增长加速(从过去五年 18%的 bit growth, 到未来 10 年的 20-21% bit growth)及传输速度增长加速, 而 20-21%位元需求增长加上长期价格的稳定来反映高资本开支及折旧费用, 摩尔定律微缩的趋缓,我们因此预期 DRAM 内存产业进入未来 10 年的黄金时 代,10 年内存营收复合增长率将达 21-22%,这类似于我们看到先进逻辑制程 工艺产品的长期价格上涨通膨趋势,但 10 年逻辑芯片及晶圆代工营收复合增 长率达 10-15%,明显低于内存器营收复合增长率。
首次全面使用 EUV 光刻 1-alpha DRAM:从 2021 年开始三大内存器 制造公司三星,海力士,及镁光将陆续量产 1-alpha DRAM (10-12nm), 除了镁光仍坚持使用 193nm ArF 浸润式光刻机制造 1-alpha DRAM 外, 三星及海力士都将首次全面采用 13.5nm EUV 光刻机来制造 1-alpha DRAM,一般来说 EUV 1-alpha DRAM 传输速度在 DDR4 规格可至少 提升到 4266MT/s, 在 DDR5 可至少提升到 4800MT/s 。而 1alpha 的微 缩制程工艺,可比 1z 制程工艺多生产 25%的 DRAM 芯片,但因为 1- alpha DRAM 需要大约 5-6 EUV 层,而每月处理 10 万的每个 EUV 1- alpha DRAM 层就需要 1.5-2 台 EUV 光刻机,那 5-6 EUV 层就需要 8- 12 台 EUV 机台,以每台 EUV 售价 1.5 亿美元来测算(远高于每台 193nm ArF 浸润式光刻机的 6000 万美元),每个月 10 万片 1-alpha DRAM 的产能就要额外投资 15 亿美元的 EUV 光刻机台,EUV 光刻机 资本开支及折旧费用的拉高,会让少数能供应先进 1-alpha,1-beta, 然 后 1-gamma DRAM 的厂商其制造成本逐年提升,未来价格结构性上涨 可期。
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