半导体行业研究报告：存储器结构性分道篇，内存（24页）

虽然国内 5G 智能手机改朝换代在 2021 年底将近尾声（超过 90%以上渗 透率），全球 5G 智能手机渗透率在 2021 年底已超过五成，这将造成明年高阶 智能手机品牌商在已开发国家很难卖，启动价格战或降规格可期。加上明年全 球疫情在疫苗大量施打后将逐步趋缓，我们认为在家六机（笔电，平板电脑， Chromebook, LCD/AMOLED TV, 游戏机，大尺寸手机）及大尺寸面板供应链 的需求也将明显衰退， 这两个风险将影响 2022 年电脑，高阶 5G 手机内存 DRAM，闪存 NAND，8“大尺寸驱动， 8/12“电源管理芯片，及 12” 7/5nm 先进 制程工艺在家六机 CPU, GPU, WiFi, ABF 载板 及 5G 芯片晶圆代工及封测需求。 

所以我们估计 2022 年全球半导体市场增长将趋缓，尤其是手机芯片销售同比 增长将明显趋缓，电脑芯片销售甚至不排除衰退，这样多少会影响明年 DRAM 内存及 NAND 闪存的位元增长需求及短期价格走势。 但就长期全球 DRAM 内存存储器市场而言，归因于摩尔定律趋缓，新设备 如 EUV 单价提升拉高资本开支及折旧费用，加上人工智能服务器系统对于 HBM 高频宽内存需求的增加，服务器 CPU 的加速叠代更新到 5/3nm 及/20A 制 程工艺及从 8 到 12 通道内存模组的规格改变，从支援 DDR4 到速度更快的 DDR5/DDR6， L4/L5 自驾车的陆续上路，中／低容量特殊利基型 DRAM 需求 超供给，这些趋势的改变将让 DRAM 位元密度需求增长加速（从过去五年 18%的 bit growth, 到未来 10 年的 20-21% bit growth）及传输速度增长加速， 而 20-21%位元需求增长加上长期价格的稳定来反映高资本开支及折旧费用， 摩尔定律微缩的趋缓，我们因此预期 DRAM 内存产业进入未来 10 年的黄金时 代，10 年内存营收复合增长率将达 21-22%，这类似于我们看到先进逻辑制程 工艺产品的长期价格上涨通膨趋势，但 10 年逻辑芯片及晶圆代工营收复合增 长率达 10-15%，明显低于内存器营收复合增长率。

首次全面使用 EUV 光刻 1-alpha DRAM：从 2021 年开始三大内存器 制造公司三星，海力士，及镁光将陆续量产 1-alpha DRAM (10-12nm),  除了镁光仍坚持使用 193nm ArF 浸润式光刻机制造 1-alpha DRAM 外， 三星及海力士都将首次全面采用 13.5nm EUV 光刻机来制造 1-alpha  DRAM，一般来说 EUV 1-alpha DRAM 传输速度在 DDR4 规格可至少 提升到 4266MT/s, 在 DDR5 可至少提升到 4800MT/s 。而 1alpha 的微 缩制程工艺，可比 1z 制程工艺多生产 25%的 DRAM 芯片，但因为 1- alpha DRAM 需要大约 5-6 EUV 层，而每月处理 10 万的每个 EUV 1- alpha DRAM 层就需要 1.5－2 台 EUV 光刻机，那 5-6 EUV 层就需要 8- 12 台 EUV 机台，以每台 EUV 售价 1.5 亿美元来测算（远高于每台 193nm ArF 浸润式光刻机的 6000 万美元），每个月 10 万片 1-alpha  DRAM 的产能就要额外投资 15 亿美元的 EUV 光刻机台，EUV 光刻机 资本开支及折旧费用的拉高，会让少数能供应先进 1-alpha，1-beta, 然 后 1-gamma DRAM 的厂商其制造成本逐年提升，未来价格结构性上涨 可期。