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2025-04-17 13 电子行业报告
CMP抛光液/垫通过化学反应与物理研磨对硅片实现大面积平坦化,全球市场规模达30亿美元。CMP抛光液/垫是主要抛光材料:CMP抛光材料主要可分为抛光液(49%)、抛光垫(33%)、调节器(9%)、清洁剂(5%)等。趋势:CMP抛光次数随制程提升而增长。制程的提升对于晶圆表面平整度的要求愈发严格,并且,CMP除了被应用于前道加工环节中, 也逐渐被用于后道先进封装的抛光环节,所以带动了CMP抛光需求次数的增长,推动了CMP抛光材料市场扩大。原材料与品控设备主要依赖进口:用于生产的光刻胶的树脂、引发剂、光刻机依赖进口。 技术挑战:配方(要求使得聚合产物的分子量分布足够窄,且金属杂质的残留量足够低,低到ppb级别)。 趋势:适用于更先进制程(更高精准度与稳定性)。制造设备主要依赖进口:湿电子化学品的上游原材料为硫酸、盐酸、氟硅酸等各类基础化工原材料,当前国内相关企业较多,但用 于制造湿电子化学品的刻蚀/清洗设备具有较高的制造工艺壁垒,国内企业在相关领域起步较晚,所以国内湿电子化学品对进口设备 依存度较高 。
技术挑战:纯度(关键在于提纯技术和分析检测技术)、配方(主要针对功能性湿电子化学品)。趋势:①更高纯度(12英寸晶圆要求湿电子化学品的纯度至少达到G4。芯片线宽越精细,对湿电子化学品的纯度要求越高);②用 量随晶圆尺寸增大而提升(12英寸晶圆在制造过程中使用的湿电子化学品消耗量约是8英寸晶圆的5倍、6英寸晶圆消耗量的8倍)。原材料主要依赖进口:原材料高纯金属(金属纯度通常为5N5以上,即99.9995%以上)成本占靶材生产成本比例的80%左右,且高度 依赖进口。技术挑战:高纯金属纯度控制及提纯技术、晶粒晶向控制技术、异种金属大面积焊接技术、金属的精密加工及特殊处理技术、清洗 包装技术。 趋势:更高纯度(为满足半导体更高精度、更细小微米工艺的需求,所需的靶材纯度不断攀升,甚至达到6N以上)。
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