半导体材料报告：硅片、电子特气、抛光液 / 垫、光刻胶、湿电子化学品、靶材（42页）

CMP抛光液/垫通过化学反应与物理研磨对硅片实现大面积平坦化，全球市场规模达30亿美元。CMP抛光液/垫是主要抛光材料：CMP抛光材料主要可分为抛光液（49%）、抛光垫（33%）、调节器（9%）、清洁剂（5%）等。趋势：CMP抛光次数随制程提升而增长。制程的提升对于晶圆表面平整度的要求愈发严格，并且，CMP除了被应用于前道加工环节中， 也逐渐被用于后道先进封装的抛光环节，所以带动了CMP抛光需求次数的增长，推动了CMP抛光材料市场扩大。原材料与品控设备主要依赖进口：用于生产的光刻胶的树脂、引发剂、光刻机依赖进口。 技术挑战：配方（要求使得聚合产物的分子量分布足够窄，且金属杂质的残留量足够低，低到ppb级别）。 趋势：适用于更先进制程（更高精准度与稳定性）。制造设备主要依赖进口：湿电子化学品的上游原材料为硫酸、盐酸、氟硅酸等各类基础化工原材料，当前国内相关企业较多，但用 于制造湿电子化学品的刻蚀/清洗设备具有较高的制造工艺壁垒，国内企业在相关领域起步较晚，所以国内湿电子化学品对进口设备 依存度较高 。

技术挑战：纯度（关键在于提纯技术和分析检测技术）、配方（主要针对功能性湿电子化学品）。趋势：①更高纯度（12英寸晶圆要求湿电子化学品的纯度至少达到G4。芯片线宽越精细，对湿电子化学品的纯度要求越高）；②用 量随晶圆尺寸增大而提升（12英寸晶圆在制造过程中使用的湿电子化学品消耗量约是8英寸晶圆的5倍、6英寸晶圆消耗量的8倍）。原材料主要依赖进口：原材料高纯金属（金属纯度通常为5N5以上，即99.9995%以上）成本占靶材生产成本比例的80%左右，且高度 依赖进口。技术挑战：高纯金属纯度控制及提纯技术、晶粒晶向控制技术、异种金属大面积焊接技术、金属的精密加工及特殊处理技术、清洗 包装技术。 趋势：更高纯度（为满足半导体更高精度、更细小微米工艺的需求，所需的靶材纯度不断攀升，甚至达到6N以上）。