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2025-03-31 85 电子行业报告
2027年全球SiC功率半导体市场规模有望突破60亿美元。根据Yole,2027年全球SiC功率半导体市场规模由2021年的10.90亿美元增至 62.97亿美元,2021-2027年每年以34%年均复合增长率快速增长。汽车应用主导SiC市场,占整个功率SiC器件市场的75%以上。 第三代半导体材料渗透率逐年提升,2023年有望接近5%。根据Yole,Si仍是半导体材料主流,占比95%。第三代半导体渗透率逐年上升, SiC渗透率在2023年有望达到3.75%,GaN渗透率在2023年达到1.0%,第三代半导体渗透率总计4.75%。2020年我国第三代半导体产业电子电力和射频电子总产值超过100亿元,较2019年同比增长69.5%。随着5G、新能源汽车等市场发展,第 三代半导体的需求规模保持高速增长。同时,中美贸易摩擦影响给国产第三代半导体材料带来了发展良机。2020年在国内大半导体产业增长 乏力的大背景下,我国第三代半导体产业实现逆势增长。 2020年,SiC、GaN电力电子器件应用市场规模为46.8亿元,同比增长90% 。 2017-2020年,中国SiC、GaN电力电子器件应用市场快速 增长。2020年,我国半导体分立器件的市场规模约3002.6亿元,SiC、GaN电力电子器件的应用渗透率约为1.56%。陆续出台相关政策,第三代半导体蓬勃发展。
国家 持续出台相关政策支持第三代半导体发展,2016 年7月,国务院《关于印发“十三五”国家科技创 新规划的通知》明确发展第三代半导体芯片; 2019年11月工信部将第三代半导体产品写入《重 点新材料首批次应用示范指导目录》,2019年12 月,在《长江三角洲区域一体化发展规划纲要》中 明确要求加快培育布局第三代半导体产业,推动制 造业高质量发展;2020年7月为鼓励企业积极发展 集成电路,国家减免相关企业税收;2021年3月, 十四五规划中特别提出第三代半导体要取得发展; 2021年8月,工信部将第三代半导体纳入“十四五 ”产业科技创新相关发展规划。SiC产业链美国、日本等国家地区占据先发优势。通过在半绝缘型碳化硅衬底上生长氮化镓外延层适用于高频、高温工作环境,主要应用于 5G 通信、卫星领域;在导电型碳化硅衬底上生长碳化硅外延层,适用于高温、高压工作环境,主要应用于新能源汽车、光伏发电领域。从 全球产业链来看,美国、日本及欧洲等国家及地区SiC布局相对较早,技术较为领先,国内企业仍处于加速追赶的位置。碳化硅产业链各个环节国内企业均有涉足。从事衬底片的国内厂商主要有露笑科技、三安光电、天科合达、天岳先进等;从事外延片生产的 厂商主要有瀚天天成、东莞天域、晶湛半导体、聚能晶源、英诺赛科等;从事第三代半导体器件的厂商主要有比亚迪半导体、闻泰科技、华 润微、士兰微等。
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