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2025-04-19 16 新能源及电力行业报告
晶硅电池的提效降本是光伏行业发展的关键,规模化、技术进步、成本降低三者 互相促进。从最初规模化量产的铝背场电池,到 PERC(发射极钝化和背面接触), 再到 HJT(本征非晶层的异质结)电池和 TOPCon(隧穿氧化层钝化接触电池), 以及未来的叠层电池,光伏电池效率不断逼近极限,并由此带来成本与规模的突 破。按照 P-N 结类型,光伏电池可以分为同质结电池和异质结电池。其中同质结电 池主要通过扩散的方式,在同一种类型的硅片(P 型或 N 型)上实现掺杂,从 而得到 P-N 结。异质结电池的 P 型区和 N 型区由不同类型的半导体材料构成, 可分为掺杂型和非掺杂型。当 P 型半导体和 N 型半导体结合在一起,由于 P 型半导体中空穴浓度高,而 N 型半导体中电子浓度高,因此会形成热扩散运动。 即 P 型半导体中空穴向 N 型区扩散,N 型半导体中的电子向 P 型区扩散。而后 在 P 型区形成负电荷,而 N 型区形成正电荷,两者之间形成一个内建电场。 在光照条件下,能量大于禁带宽度的光子被吸收,在 PN 结的两边产生电子-空 穴对,并在内建电场的作用下相互分开,从而产生光生电流。
“收集概率”描述了光照射到电池的某个区域产生的载流子被 P-N 结收集并参 与到电流流动的概率。其大小与光生载流子需要运动的距离和电池表面特性有关。 距离耗散区越远,被收集的概率就越小,而表面钝化能够增加同一位置下载流子 被收集的概率。扩散描述了一种物质在另一种物质中运动的情况。本质在于原子、分子和离子的 布朗运动,造成由浓度高的地方向浓度低的地方进行扩散。 晶体硅太阳电池制造采用了高温化学热扩散的方式来实现掺杂制结。热扩散利用 高温驱动杂质穿过硅的晶格结构,这种方法受到时间和温度的影响,需要 3 个步 骤:预淀积、推进和激活。BBr3/ BCl3分解产生的 B2O3淀积在硅片表面,B2O3与硅反应生成 SiO2和硼原子, 并在硅片表面形成一层硼硅玻璃,然后硼原子再向硅中进行扩散。 由上可知,不管是硼扩还是磷扩,需形成硼原子或磷原子的基础上,向硅基体扩 散。 相比磷扩散,硼扩散的难度更大。原因在于硼原子在硅基体中的固溶度较低,导 致硼扩的温度须达到 1000℃以上。且表面掺杂量较多时容易在表面形成硼堆积, 即富硼层(BRL),对后续清洗造成挑战。
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