BC 电池是一种将太阳电池的发射极、背场、基区、发射极电极和 背场电极均设计在电池背表面的高效率硅基太阳电池。IBC 电池将 栅线做到背面,避免金属栅...
2025-03-28 17 新能源及电力行业报告
随着N型电池片,尤其是TOPCon快速放量,N型硅片需求大幅提升。TOPCon 2022年 实际扩产约110GW,2023年1-4月扩产约400GW,带动N型硅片需求快速提升,而N型硅片 对晶体品质和氧碳含量要求很高,要求更高的少子寿命和更低的氧含量。 N型硅片容易产生由原生氧造成同心圆、黑芯片问题。主要系高温的硅溶液在坩埚里进 行相对高速的对流,因为外面热中间冷,底部热上面冷,硅溶液在坩埚内会形成类似“开 锅”现象,造成硅溶液内部出现流动,不停冲刷石英坩埚,而石英就是二氧化硅,其中氧 会在冲刷过程中融入硅溶液,造成晶体里含有较多的氧。 TOPCon更容易发生同心圆问题。TOPCon在后续的高温工艺(如B扩散)下,氧容易 沉淀形成氧环即同心圆,影响效率和良率,所以TOPCon对硅片氧含量更敏感;
而HJT为低 温工艺,出现同心圆概率不高,可以选择高氧含量硅片。TOPCon高温过程比较多(SE需要两次扩硼,温度在1050摄氏度以上,扩磷850摄氏度, LPCVD也是高温过程),高温过程会激发硅片内的氧原子形成同心圆,使效率下降。 缺陷分为空位缺陷和点缺陷,空位缺陷是原子来不及排列,所以中间出现了孔洞。高拉速 情况下孔洞会多,掺杂磷之后孔洞缺陷会更多,过了7ppm之后,缺陷会急速上升。Topcon 里的高温制程就会导致氧聚集形成缺陷,400度以上氧可以在硅片里活动,800~900度以上 氧可以游动,一旦冷了凝固就不动了。氧喜欢CUP区域,氧原子堆积在一起,漏电大,一 定就是不会发电的,如果氧和过渡金属复合之后,会引起局部的位错。从逻辑上,氧和杂 质是N型硅片的敌人,杂质会复合掉少子,氧会聚集形成缺陷。
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