IBC电池行业报告（31页）

与 TOPCon、HJT 等其他晶硅电池的钝化思路不同，IBC 电池主要通过结构的改变来 提高转换效率。IBC 电池（Interdigitated Back Contact，指交叉背接触），是指正负金属电极 呈叉指状方式排列在电池背光面的一种背结背接触的太阳电池结构。IBC 电池正面无金属 栅线，发射极和背场以及对应的正负金属电极呈叉指状集成在电池的背面。这种正面无遮 挡结构完全消除栅线电极造成的遮蔽损耗，能够最大限度地利用入射光，从而有效提高电 池效率和发电量。IBC 电池既可使用 N 型、也可使用 P 型硅片作为衬底，以 N 型硅衬底为例的 IBC 电池 结构如下： （1）前表面为磷掺杂的 n+前场结构 FSF（Front Surface Field），利用场钝化效应降 低表面少子浓度，从而降低表面复合速率，同时还可以降低串联电阻，提升电子传输能力， 可通过磷扩散或离子注入等技术形成； （2）背表面为采用扩散方式形成的叉指状排列的硼掺杂 p+发射极 Emitter 和磷掺杂 n+背场 BSF。p+发射极 Emitter 的作用是与 n 型硅基底形成 p-n 结，有效分流载流子，可以 通过硼扩散或旋涂等方式制备；n+背表面场区能够与 n 型硅形成高低结，增强载流子的分 离能力，可通过磷扩散或离子注入形成；背面 p/n 交替的叉指状结构的形成是 IBC 电池的 技术核心，可通过光刻、掩膜、激光等方法实现。 （3）前后表面均采用 SiO2/SiNx 叠层膜作为钝化膜，抑制 IBC 太阳电池背表面的载流 子复合； （4）前表面常镀上减反射层，提高发电效率； （5）金属接触部分全都在背面的正负电极接触区域，也呈叉指状排列。