先进封装行业报告（54页）

先进封装一般指将不同系统集成到同一封装内以实现更高效系统效率的封装技术，是对应于先进晶圆制程而衍生出来的概念， 换言之，只要该封装技术能够实现芯片整体性能（包括传输速度、运算速度等）的提升，就可以视为是先进封装。 通过先进封装可以相对轻松地实现芯片的高密度集成、体积的微型化和更低的成本。先进封装在提高芯片集成度、缩短芯片距 离、加快芯片间电气连接速度以及性能优化的过程中扮演了更重要角色。正成为助力系统性能持续提升的重要保障，并满足“轻、 薄、短、小”和系统集成化的需求。 摩尔定律的延伸受到物理极限、巨额资金投入等多重压力，迫切需要别开蹊径推动技术进步。据IBS统计，在达到28nm制程节 点以后，如果继续缩小制程节点，每百万门晶体管的制造成本不降反升。 先进封装处于晶圆制造（“前道”）和芯片封测（“后道”）之间，被称为“中道”，包括重布线（RDL）、凸块制作（Bumping）及 硅通孔（TSV）等工艺技术，涉及与晶圆制造相似的光刻、显影、刻蚀、剥离等工序步骤。与设计和晶圆制造相比，封装行业进入壁垒较低。因此在中国集成电路发展早期，众多企业选择以封测环节作为切入口，并不断加强对海 内外企业并购动作，以持续扩大公司规模。目前封测已成为中国大陆半导体产业链中竞争力最强的环节。 传统封装过程如下：将晶圆切割为晶粒（Die）后，使晶粒贴合到相应的基板架的小岛（LeadframePad）上，再利用导线将晶片的接合焊盘 与基板的引脚相连（WireBond），实现电气连接，最后用外壳加以保护（Mold，或Encapsulation）。典型封装方式有DIP、SOP、TSOP、 QFP等。传统封装的封装效率（裸芯面积/基板面积）较低，存在很大改良的空间。 先进封装主要种类有：倒装（FlipChip），凸块（Bumping），晶圆级封装（Waferlevelpackage），2.5D封装（interposer，RDL等），3D封 装（TSV）等封装技术。先进封装在诞生之初只有WLP，2.5D封装和3D封装几种选择，近年来，先进封装的发展呈爆炸式向各个方向发展。 先进封装技术于上世纪90年代出现，通过以点带线的方式实现电气互联，实现更高密度的集成，大大减小了对面积的浪费。