光刻机行业报告（38页）

行业报告下载 2024年10月18日 08:11 管理员

典型的光刻工艺流程一般包括 8 个步骤，分别是底膜准备、涂胶、软烘、对准曝光、曝光后烘、显影、坚膜、显影检测；光刻过程中，量测设备、涂胶显影设备与光刻机配合运行。①底膜准备：对原始的硅片进行清洗、脱水，并向其涂抹增粘剂。②涂胶：对晶圆表面按照指定的厚度和均匀性涂抹光刻胶，同时将边缘和多余的光刻胶清洗掉。③软烘：去除光刻胶里的溶剂，增加粘合性。④对准曝光：将掩膜版和晶圆对准后进行光照曝光。⑤曝光后烘：通过适度的温度来激发光刻胶，使部分光刻胶能够更好的溶于显影液，提高显影的分辨率。⑥显影：向已经曝光的晶圆涂抹显影液，使光刻胶上被照射过的区域溶解，形成电路图型。⑦坚膜：通过烘焙进一步的去除残留的光刻胶溶液，同时提高光刻胶的粘性。⑧显影检测：检查晶圆上显影后的团是否符合要求，如果不符合要求则需要重复进行光刻步骤。在光刻过程中，量测设备、涂胶显影设备与光刻机配合运行，涂胶显影设备在光刻过程中负责光刻胶的涂抹、烘烤，显影液的喷涂清洗等功能，涂胶显影设备的功能和设备质量直接影响到光刻工艺整体的良率。量测设备主要对光刻后的电路图形进行套刻误差以及关键尺寸的测量，如果出现误差过大的情况则需要重新进行光刻步骤，确保生产出来的芯片不存在图案缺陷，同时将错误信息反馈给光刻系统以用来改善相关工艺。

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