从基础结构透析光伏晶硅高效电池发展报告（32页）

太阳能电池实际工作中，串联电阻 Rs 和并联电阻 Rsh 等寄生电阻会影响转换效率。Rs 源 于大面积太阳能电池电流流向的电阻和金属栅线等的接触电阻，并联电阻 Rsh 主要受 pn 结 结构和制备过程中的工艺影响。 串联电阻主要由 Si 的体电阻、前后电极的接触电阻、发射极电阻、细栅电阻、主栅电阻和 焊接带电阻组成。串联电阻的高低与电池的填充因子有强相关性,当串联电阻过高时，电池 的填充因子会较低。并联电阻的形成较为简单，一般认为是在晶体硅太阳能电池边缘产生的。以 p 型硅片为例， 由于发射极中的电子能够通过表面态与基区甚至是背面电极的空穴进行复合，产生电流通 道，导致电池的局部漏电。不恰当的工艺也会导致并联电阻的形成，包括边缘漏电、边缘 pn 结的残留、硅片隐裂和空洞、pn 结烧穿、表面刮伤、铝对前表面的污染、严重的晶体损 伤和表面反型层的形成等等，都有可能降低并联电阻，形成漏电。在电池片生产制造环节，常会用到抛光、制绒、扩散、钝化、介质开膜和金属化技术等工 艺来降低光伏电池片的光学、电学、电阻损失。 抛光：根据丁健宁等《高效晶体硅太阳能电池技术》，晶体硅电池常规清洗工艺包括硅片去 损伤层、抛光、制绒、背结刻蚀、发射极刻蚀、高效电池的 O₃及 RCA 清洗等。在整套太阳 能电池工艺中，硅片从头到尾需经过多道不同的清洗工艺。切割硅锭形成的硅片，其损伤 层厚度大约 10μm,需要用氢氧化钾(KOH)等碱性溶液去除损伤层。 制绒：根据丁健宁等《高效晶体硅太阳能电池技术》，为提高光线在硅片中的折射次数、提 高光电转换效率，清洗后的硅片需制备出正金字塔绒面。硅片通过无机碱如 KOH、NaOH 与 IPA 的混合溶液在 70～85℃下一定时间内可以制备出大小均匀、形貌一致的正金字塔绒 面。为了提升制备出绒面的均匀性或者控制绒面尺寸的大小，需要在碱制绒过程中使用碱 制绒添加剂。