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2025-03-19 51 光电行业报告
对于直接带隙结构,电子在价带与导带间的跃迁只需满足能量守恒;对于间接带隙结构,由 于价带顶与导带底的波矢不同,需在水平方向施加动量方可使电子完成跃迁,也即 电子跃迁过程涉及声子的吸收与发射 一方面,由低向高能级的跃迁必须要有声子参与,这导致跃迁发生的概率降低,间接带隙结构发生电子跃迁的概率约为直接间隙结构的 1/1000;另一方面,跃迁释放的大部分能量会转换为声子而非光子。 此二因素决定了直接间隙结构中电子在高低能级间的跃迁效率更高 。如前所述,对于激光器芯片而言,输出激光的关键在于“半导体中的电子吸收能量,由低能级向高能级跃迁 —电子由不稳定的高能级回落至低能级,在这一过程中以光子形式释放 能量”, 可见,电子跃迁的效率是激光输出效率的本源,故直接带隙结构的半导体更适用于制作激光器芯片 。
三五族化合物大都为直接间隙半导体材料,如 GaAs、 GaN、InP 等,少部分三五族化合物如 GaP 及 Ge、 Si 则属于间接带隙结构,这是 GaAs、 InP 等三五族化合物在激光器芯片制备中应用普遍的基础。三五族化合物可形成三元及以上化合物作为外延材料, 通过调整各组分元素的比例 ,可 获得期望的激光输出波长,满足多样化的 场景需求 。 激光器芯片输出的激光源于从导带层回落至价带层时释放的光子,故激光的波长主要由释放光子的波长决定,而光子的波长与光子的频率进而光子的能量成反比,故 输出激光的波长将主要由“电子由导带底回落至价带顶释放的能量大小”决定,即半导体材料的带隙 。对于 Si、 Ge而言,除电子跃迁效率较低外,它们为单一材料,带隙固定,故只能发出单一波长的光;对三五族化合物而言,单个化合物的带隙同样固定,但它们可按照不同比例进行混合,形成不同的三元及以上化合物,由此可得多种带隙。 需指出,光芯片的衬 底通常还是二元化合物,三元及以上化合物一般作为从衬底上生长出的外延材料。
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