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2025-04-16 39 汽车行业报告
SiC基MOSFET相比Si基IGBT具备更高耐压等级和开关损耗,以Si-IGBT为例,450V下其耐压为650V,若汽车电气架构升级 至800 V,对应功率半导体耐压等级需达1200 V。 SiC基MOSFET不仅在耐压和损耗水平上都能满足800V电压平台的需求,还具备进一步拓展至1200V电压平台的潜力。电驱动系统采用800V高压平台,显著提升了中高速区域的综合输出性能,并能够满足用户对于超级快速充电的需求,但也大 幅提高了产品材料成本,预期800V电驱动系统将首先搭载中高端车型。
越来越多的品牌都在规划800V高压平台电驱动产品,近2年陆续量产,国家也在着手布局超级充电桩,最高输出电压可达 1500V。伴随着未来高压充电基础设施的完善,整车端将不再需要配置升压充电器,高压部件实际增速快于800V增速。 800V高压平台技术架构日渐成熟,近2年电动汽车有关电压等级、传导充电装置等相关技术标准亟待同步升级。
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